電感器的主要參數(shù)
電感器的主要參數(shù)有電感量、允許偏差、品質(zhì)因數(shù)、分布電容和額定電流等。
1、電感量:電感量也稱自感系數(shù)，是表示電感器產(chǎn)生自感應(yīng)能力的一個(gè)物理量。
電感器電感量的大小，主要取決于線圈的圈數(shù)（匝數(shù)）、繞制方式、有無磁心及磁心的材料等等。通常，線圈圈數(shù)越多、繞制的線圈越密集，電感量就越大。有磁心的線圈比無磁心的線圈電感量大；磁心導(dǎo)磁率越大的線圈，電感量也越大。
2、允許偏差:允許偏差是指電感器上標(biāo)稱的電感量與實(shí)際電感的允許誤差值。
一般用于振蕩或?yàn)V波等電路中的電感器要求精度較高，允許偏差為±0.5%~±10%；而用于耦合、高頻阻流等線圈的精度要求不高；允許偏差為±15%~30%。
3、品質(zhì)因數(shù):品質(zhì)因數(shù)也稱Q值或優(yōu)值，是衡量電感器質(zhì)量的主要參數(shù)。它是指電感器在某一頻率的交流電壓下工作時(shí)，所呈現(xiàn)的感抗與其等效損耗電阻之比。電感器的Q值越高，其損耗越小，效率越高。電感器品質(zhì)因數(shù)的高低與線圈導(dǎo)線的直流電阻、線圈骨架的介質(zhì)損耗及鐵心、屏蔽罩等引起的損耗等有關(guān)。
4、分布電容:分布電容是指線圈的匝與匝之間、線圈與磁心之間存在的電容。電感器的分布電容越小，其穩(wěn)定性越好。
5、額定電流:額定電流是指電感器有正常工作時(shí)反允許通過的最大電流值。若工作電流超過額定電流，則電感器就會(huì)因發(fā)熱而使性能參數(shù)發(fā)生改變，甚至還會(huì)因過流而燒毀。
電容的主要特性參數(shù)
電容的主要參數(shù)有電容容值，允許誤差，額定工作電壓，溫度系數(shù)等
1、容量與誤差：實(shí)際電容量和標(biāo)稱電容量允許的最大偏差范圍，一般分為±5%，±10%，±20%。精密電容器的允許誤差較小，而電解電容器的誤差較大，它們采用不同的誤差等級(jí)。
2、額定工作電壓：電容器在電路中能夠長(zhǎng)期穩(wěn)定、可靠工作，所承受的最大直流電壓，又稱耐壓。對(duì)于結(jié)構(gòu)、介質(zhì)、容量相同的器件，耐壓越高，體積越大。
3、溫度系數(shù)：在一定溫度范圍內(nèi)，溫度每變化1℃，電容量的相對(duì)變化值。溫度系數(shù)越小越好。
4、絕緣電阻：用來表明漏電大小的。一般小容量的電容，絕緣電阻很大，在幾百兆歐姆或幾千兆歐姆。電解電容的絕緣電阻一般較小。相對(duì)而言，絕緣電阻越大越好，漏電也小。
5、損耗：在電場(chǎng)的作用下，電容器在單位時(shí)間內(nèi)發(fā)熱而消耗的能量。這些損耗主要來自介質(zhì)損耗和金屬損耗。通常用損耗角正切值來表示。
MOSFET的主要特性參數(shù)
“MOSFET”是英文 MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor 的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管”。它是由金屬、氧化物(SiO2 或 SiN)及半導(dǎo)體三種材料制成的器件
MOSFET的主要參數(shù)有ID,IDM，VGS,V(BR)DSS,RDS(on) ,VGS(th)等
1、ID：最大漏源電流。是指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí)，漏源間所允許通過的最大電流。場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過ID。此參數(shù)會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所減額。
2、IDM：最大脈沖漏源電流。此參數(shù)會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所減額。
3、VGS：最大柵源電壓。
4、V(BR)DSS：漏源擊穿電壓。是指柵源電壓VGS為0時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項(xiàng)極限參數(shù)，加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必須小于V(BR)DSS。它具有正溫度特性。故應(yīng)以此參數(shù)在低溫條件下的值作為安全考慮。
5、RDS(on)：在特定的VGS（一般為10V）、結(jié)溫及漏極電流的條件下，MOSFET導(dǎo)通時(shí)漏源間的最大阻抗。它是一個(gè)非常重要的參數(shù)，決定了MOSFET導(dǎo)通時(shí)的消耗功率。此參數(shù)一般會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所增大。故應(yīng)以此參數(shù)在最高工作結(jié)溫條件下的值作為損耗及壓降計(jì)算。
6、VGS(th)：開啟電壓（閥值電壓）。當(dāng)外加?xùn)艠O控制電壓VGS超過VGS(th)時(shí)，漏區(qū)和源區(qū)的表面反型層形成了連接的溝道。應(yīng)用中，常將漏極短接條件下ID等于1毫安時(shí)的柵極電壓稱為開啟電壓。此參數(shù)一般會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所降低。
7、PD：最大耗散功率。是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率。使用時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)際功耗應(yīng)小于PDSM并留有一定余量。此參數(shù)一般會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所減額。
8、Tj：最大工作結(jié)溫。通常為150℃或175℃，器件設(shè)計(jì)的工作條件下須確應(yīng)避免超過這個(gè)溫度，并留有一定裕量。
功率 MOSFET 與雙極型功率相比具有如下特點(diǎn)：
1、MOSFET 是電壓控制型器件(雙極型是電流控制型器件)，因此在驅(qū)動(dòng)大電流時(shí)無需推動(dòng)級(jí)，電路較簡(jiǎn)單；
2、輸入阻抗高；
3、工作頻率范圍寬，開關(guān)速度高(開關(guān)時(shí)間為幾十納秒到幾百納秒)，開關(guān)損耗小；
4、有較優(yōu)良的線性區(qū)，并且 MOSFET 的輸入電容比雙極型的輸入電容小得多，所以它的交流輸入阻抗極高；噪聲也小，最合適制作 Hi-Fi 音響；
5、功率 MOSFET 可以多個(gè)并聯(lián)使用，增加輸出電流而無需均流電阻。
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